IRFR4615TRLPBF vs IRF150P220AKMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: IRFR4615TRLPBF 제조: Infineon 및 IRF150P220AKMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Infineon
IRFR4615TRLPBF IRFR4615TRLPBF - 150V 33A N-Ch MOSFET, DPAK | Infineon

IRFR4615TRLPBF - 150V 33A N-Ch MOSFET, DPAK | Infineon

IRFR4615TRLPBF ✓ 활성

사양 비교

파라미터 IRFR4615TRLPBF IRF150P220AKMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.39 $3.55
Technology IR MOSFET (N-Channel Enhancement Mode) StrongIRFET
Drain-Source Voltage (VDS) 150 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 33 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max] —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 42 mOhm —
Total Gate Charge (Qg) 26 nC —
Gate-Source Charge (Qgs) [DATA_NEEDED: Qgs] —
Gate-Drain Charge (Qgd) [DATA_NEEDED: Qgd] —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 144 W —
Avalanche Energy (EAS) 109 mJ —
동작 온도 범위 -55C to +175C -55C to +175C
패키지 TO-252AA (DPAK) TO-247-3 (PG-TO247-3)
실장 유형 Surface Mount Through Hole
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix indicates Pb-free) —
단일 펄스 애벌런치 에너지 109 mJ —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — IRF150P220AKMA1
트랜지스터 유형 — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS max) — 150 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 203 A
On-Resistance (RDS(on) max) at VGS=10V — 2.7 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS max) — [DATA_NEEDED: VGS max]
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typ]
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C — 556 W
Power Dissipation (Pd) at Ta=25C — 3.8 W
Terminal Finish — Tin (Sn)
JESD-609 Code — e3
RoHS 상태 — Compliant
Lead-Free — Yes

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