IRFR6215TRLPBF vs IRFR3710ZTRPBF 比較

詳細な並列比較: IRFR6215TRLPBF メーカー: Infineon および IRFR3710ZTRPBF メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IRFR3710ZTRPBF IRFR3710ZTRPBF - 100V N-Channel 56A HEXFET MOSFET | Infineon

IRFR3710ZTRPBF - 100V N-Channel 56A HEXFET MOSFET | Infineon

IRFR3710ZTRPBF ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IRFR6215TRLPBF IRFR3710ZTRPBF
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.38 $0.42
Polarity P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) -150 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C -13 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] [DATA_NEEDED: pulsed IDM]
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
RDS(on) max at VGS=-10V 580 mOhm —
Total Gate Charge (Qg) typ 44 nC —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 110 W —
Maximum Operating Junction Temperature 175 C —
パッケージ TO-252AA (DPAK) TO-252AA (DPAK)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET Power MOSFET (Fifth Generation) HEXFET (IR MOSFET)
MSLレベル 1 —
RoHS ステータス Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 56 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=100C — [DATA_NEEDED: ID at TC=100C]
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
Static Drain-Source On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 18 mOhm
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 140 W
動作接合温度 — -55C to +175C

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