IRFR9024NTRLPBF vs IRF7205PBF 比較

詳細な並列比較: IRFR9024NTRLPBF メーカー: Infineon および IRF7205PBF メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IRFR9024NTRLPBF IRFR9024NTRLPBF - 55V P-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFR9024NTRLPBF - 55V P-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFR9024NTRLPBF ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IRFR9024NTRLPBF IRF7205PBF
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.32 $0.47
Polarity P-Channel P-Channel
MOSFET Operating Mode Enhancement —
Drain-Source Voltage (VDS) -55 V -30 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C -11 A —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=-10V 175 mOhm 70 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) max +/-20 V —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 38 W —
Gate Charge (Qg) typical 12.7 nC —
Package Type TO-252AA (DPAK) —
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
ピン数 3 (Drain, Gate, Source + Tab) —
Technology HEXFET (Generation 5) IR MOSFET (HEXFET, planar cell)
動作温度範囲 -55C to +175C -55 C to +150 C (junction)
Lead-Free / RoHS Yes (LPBF suffix) —
Reel Orientation Left (TRL suffix) —
Continuous Drain Current (ID) — -4.6 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=-4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-4.5V]
Gate Threshold Voltage VGS(th) — -1 V to -3 V (typical)
Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: total gate charge]
パッケージ — SO-8
Power Dissipation (TA=25C) — [DATA_NEEDED: Pd at TA=25C]
Switching Frequency Optimization — Below 100 kHz
Qualification — JEDEC standard
RoHS ステータス — Compliant (Pb-free per PBF suffix)
Generation — Fourth Generation HEXFET

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