IRFR9024NTRLPBF vs IRF7205PBF 비교

다음의 상세 나란히 비교: IRFR9024NTRLPBF 제조: Infineon 및 IRF7205PBF 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Infineon
IRFR9024NTRLPBF IRFR9024NTRLPBF - 55V P-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFR9024NTRLPBF - 55V P-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFR9024NTRLPBF ✓ 활성

사양 비교

파라미터 IRFR9024NTRLPBF IRF7205PBF
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.32 $0.47
Polarity P-Channel P-Channel
MOSFET Operating Mode Enhancement —
Drain-Source Voltage (VDS) -55 V -30 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C -11 A —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=-10V 175 mOhm 70 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) max +/-20 V —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 38 W —
Gate Charge (Qg) typical 12.7 nC —
Package Type TO-252AA (DPAK) —
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
핀 수 3 (Drain, Gate, Source + Tab) —
Technology HEXFET (Generation 5) IR MOSFET (HEXFET, planar cell)
동작 온도 범위 -55C to +175C -55 C to +150 C (junction)
Lead-Free / RoHS Yes (LPBF suffix) —
Reel Orientation Left (TRL suffix) —
Continuous Drain Current (ID) — -4.6 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=-4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-4.5V]
Gate Threshold Voltage VGS(th) — -1 V to -3 V (typical)
Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: total gate charge]
패키지 — SO-8
Power Dissipation (TA=25C) — [DATA_NEEDED: Pd at TA=25C]
Switching Frequency Optimization — Below 100 kHz
Qualification — JEDEC standard
RoHS 상태 — Compliant (Pb-free per PBF suffix)
Generation — Fourth Generation HEXFET

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