IRFS4010TRLPBF vs IRLZ34NSTRLPBF 比較

詳細な並列比較: IRFS4010TRLPBF メーカー: Infineon および IRLZ34NSTRLPBF メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IRFS4010TRLPBF IRFS4010TRLPBF - 100V 180A 4.7mOhm N-Ch MOSFET | Infineon

IRFS4010TRLPBF - 100V 180A 4.7mOhm N-Ch MOSFET | Infineon

IRFS4010TRLPBF ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IRFS4010TRLPBF IRLZ34NSTRLPBF
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.86 $0.58
FET Type N-Channel MOSFET N-Channel
Technology IR MOSFET (HEXFET) —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 100 V 55 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 180 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] 110 A
RDS(on) max @ VGS=10V 4.7 mOhm —
Gate-to-Source Voltage (VGS) max Plus or minus 20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) value] Logic-level (5 V drive compatible)
Total Gate Charge (Qg) 143 nC 16.7 nC
Power Dissipation (PD) at TC=25C 375 W —
動作接合温度 -55C to +175C —
パッケージ D2PAK (TO-263AB), surface mount D2PAK (TO-263), surface mount
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Gate Drive Voltage 10 V (normal level, optimized) —
RoHS ステータス Compliant Compliant (Pb-free)
MSLレベル 1 —
Qualification JEDEC standard JEDEC standard
Continuous Drain Current (ID) at TC — 30 A
RDS(on) at VGS=5V — 35 mOhm (typical)
Power Dissipation (Ta) — 3.8 W
Power Dissipation (Tc) — 68 W
動作温度範囲 — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Built-in Body Diode — Yes
Configuration — Single with built-in diode
Switching Frequency Optimization — Below 100 kHz
Cell Structure — HEXFET planar (5th generation)

データシート&リソース

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