IRFS4620TRLPBF vs IRFS4321TRLPBF 比較

詳細な並列比較: IRFS4620TRLPBF メーカー: Infineon および IRFS4321TRLPBF メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Infineon
IRFS4620TRLPBF IRFS4620TRLPBF - 200V 24A N-Channel MOSFET | Infineon

IRFS4620TRLPBF - 200V 24A N-Channel MOSFET | Infineon

IRFS4620TRLPBF ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IRFS4620TRLPBF IRFS4321TRLPBF
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $1.62 $1.73
FET Type N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET, Metal Oxide
Drain-to-Source Voltage (VDS) 200 V 150 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 24 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 77.5 mΩ —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] —
Gate Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/range] —
Total Gate Charge Qg 25 nC (typical) —
Gate-to-Source Charge Qgs [DATA_NEEDED: Qgs] —
Gate-to-Drain Charge Qgd [DATA_NEEDED: Qgd] —
Power Dissipation PD at TC=25°C 144 W —
動作接合温度 -55°C to +175°C -55C to +175C
パッケージ D2PAK (TO-263AB), 3-pin (2 leads + tab) TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Technology IR MOSFET™ IR HEXFET (IR MOSFET)
RoHS ステータス Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
MSLレベル 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 85 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C — [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C]
RDS(on) Max at VGS=10V — 15 mOhm
RDS(on) Max at VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V]
Gate-to-Source Voltage (VGS) Max — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) Typ — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Total Gate Charge (Qg) Typ — 71 nC
Total Gate Charge (Qg) Max — 110 nC
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 350 W
Thermal Resistance Junction-to-Case (RθJC) Max — 0.45 C/W
Thermal Resistance Junction-to-Case (RθJC) End-of-Life — 0.65 C/W (after 1000 cycles -55C to +150C)

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