IRLR2905TRPBF vs IRFR5410TRPBF 比較

詳細な並列比較: IRLR2905TRPBF メーカー: Infineon および IRFR5410TRPBF メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF - 55V 42A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRLR2905TRPBF - 55V 42A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRLR2905TRPBF ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IRLR2905TRPBF IRFR5410TRPBF
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.61 $0.71
FET Type N-Channel MOSFET —
Technology HEXFET (IR MOSFET, fifth generation) HEXFET (advanced process, Gen 5)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 55 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 42 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 27 mOhm —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Gate Charge (Qg) 32 nC —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 110 W —
動作接合温度 -55C to +175C —
パッケージ TO-252AA (DPAK), surface mount TO-252AA (DPAK), surface mount
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Avalanche Rated Yes Yes (fully avalanche rated)
Lead-Free / RoHS Yes / Compliant —
MSLレベル [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL rating]
Gate Drive Logic-level compatible —
Polarity — P-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — -100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC = 25 °C — -13 A
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max at VGS = -10 V — 205 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Total Gate Charge (Qg) typ — 70 nC
Power Dissition (PD) at TC = 25 °C — 66 W
動作温度範囲 — -55 °C to +150 °C (TJ)
Lead-Free / RoHS Status — Lead-free, RoHS compliant (PBF suffix)
RDS(on) Test Conditions — VGS = -10 V, ID = -7.0 A

データシート&リソース

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