IRLR2905TRPBF vs IRFR5410TRPBF Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IRLR2905TRPBF от Infineon и IRFR5410TRPBF от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF - 55V 42A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRLR2905TRPBF - 55V 42A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRLR2905TRPBF ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IRLR2905TRPBF IRFR5410TRPBF
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,61 $0,71
FET Type N-Channel MOSFET —
Technology HEXFET (IR MOSFET, fifth generation) HEXFET (advanced process, Gen 5)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 55 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 42 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 27 mOhm —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Gate Charge (Qg) 32 nC —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 110 W —
Рабочая температура перехода -55C to +175C —
Корпус TO-252AA (DPAK), surface mount TO-252AA (DPAK), surface mount
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Avalanche Rated Yes Yes (fully avalanche rated)
Lead-Free / RoHS Yes / Compliant —
Уровень MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL rating]
Gate Drive Logic-level compatible —
Polarity — P-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — -100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC = 25 °C — -13 A
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max at VGS = -10 V — 205 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Total Gate Charge (Qg) typ — 70 nC
Power Dissition (PD) at TC = 25 °C — 66 W
Диапазон рабочих температур — -55 °C to +150 °C (TJ)
Lead-Free / RoHS Status — Lead-free, RoHS compliant (PBF suffix)
RDS(on) Test Conditions — VGS = -10 V, ID = -7.0 A

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену