IRLR2905TRPBF vs IRLR3636TRLPBF 比較

詳細な並列比較: IRLR2905TRPBF メーカー: Infineon および IRLR3636TRLPBF メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Infineon
IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF - 55V 42A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRLR2905TRPBF - 55V 42A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRLR2905TRPBF ✓ 生産中
Infineon
IRLR3636TRLPBF IRLR3636TRLPBF - 60V 99A N-Ch IR MOSFET, DPAK | Infineon

IRLR3636TRLPBF - 60V 99A N-Ch IR MOSFET, DPAK | Infineon

IRLR3636TRLPBF ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IRLR2905TRPBF IRLR3636TRLPBF
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.61 $0.74
FET Type N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Technology HEXFET (IR MOSFET, fifth generation) IR HEXFET® (IR MOSFET™)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 55 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 42 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] [DATA_NEEDED: IDM rating]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 27 mOhm —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] 1.0 V to 2.5 V (logic-level)
Gate Charge (Qg) 32 nC —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 110 W —
動作接合温度 -55C to +175C —
パッケージ TO-252AA (DPAK), surface mount TO-252AA (DPAK)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Avalanche Rated Yes Yes (per Infineon datasheet family)
Lead-Free / RoHS Yes / Compliant Yes (PBF suffix)
MSLレベル [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Gate Drive Logic-level compatible —
Continuous Drain Current (ID, TC=25°C) — 50 A
Continuous Drain Current (ID, TC=100°C) — 32 A [DATA_NEEDED: exact TC=100°C ID rating]
RDS(on) Max @ VGS=10V — 6.8 mΩ
Gate-to-Source Voltage (VGS) Max — ±20 V
Total Gate Charge (QG) — 33 nC
Power Dissipation (PD, TC=25°C) — 143 W
動作温度範囲 — -55 °C to +175 °C (TJ)

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