IRLR2905TRPBF vs IRLR3636TRLPBF 비교

다음의 상세 나란히 비교: IRLR2905TRPBF 제조: Infineon 및 IRLR3636TRLPBF 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 IRLR2905TRPBF IRLR3636TRLPBF
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.61 $0.74
FET Type N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Technology HEXFET (IR MOSFET, fifth generation) IR HEXFET® (IR MOSFET™)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 55 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 42 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] [DATA_NEEDED: IDM rating]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 27 mOhm —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] 1.0 V to 2.5 V (logic-level)
Gate Charge (Qg) 32 nC —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 110 W —
동작 접합 온도 -55C to +175C —
패키지 TO-252AA (DPAK), surface mount TO-252AA (DPAK)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
Avalanche Rated Yes Yes (per Infineon datasheet family)
Lead-Free / RoHS Yes / Compliant Yes (PBF suffix)
MSL 레벨 [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Gate Drive Logic-level compatible —
Continuous Drain Current (ID, TC=25°C) — 50 A
Continuous Drain Current (ID, TC=100°C) — 32 A [DATA_NEEDED: exact TC=100°C ID rating]
RDS(on) Max @ VGS=10V — 6.8 mΩ
Gate-to-Source Voltage (VGS) Max — ±20 V
Total Gate Charge (QG) — 33 nC
Power Dissipation (PD, TC=25°C) — 143 W
동작 온도 범위 — -55 °C to +175 °C (TJ)

데이터시트 & 자료

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