IRLR2905TRPBF vs IRLR3636TRLPBF Comparação
Comparação detalhada lado a lado de IRLR2905TRPBF por Infineon e IRLR3636TRLPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | IRLR2905TRPBF | IRLR3636TRLPBF |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoria | MOSFETs | MOSFETs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $0,61 | $0,74 |
| FET Type | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Technology | HEXFET (IR MOSFET, fifth generation) | IR HEXFET® (IR MOSFET™) |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 55 V | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | 42 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] | [DATA_NEEDED: IDM rating] |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | 27 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] | 1.0 V to 2.5 V (logic-level) |
| Gate Charge (Qg) | 32 nC | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | 110 W | — |
| Temperatura de junção de operação | -55C to +175C | — |
| Encapsulamento | TO-252AA (DPAK), surface mount | TO-252AA (DPAK) |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Avalanche Rated | Yes | Yes (per Infineon datasheet family) |
| Lead-Free / RoHS | Yes / Compliant | Yes (PBF suffix) |
| Nível MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | — |
| Gate Drive | Logic-level compatible | — |
| Continuous Drain Current (ID, TC=25°C) | — | 50 A |
| Continuous Drain Current (ID, TC=100°C) | — | 32 A [DATA_NEEDED: exact TC=100°C ID rating] |
| RDS(on) Max @ VGS=10V | — | 6.8 mΩ |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) Max | — | ±20 V |
| Total Gate Charge (QG) | — | 33 nC |
| Power Dissipation (PD, TC=25°C) | — | 143 W |
| Faixa de temperatura de operação | — | -55 °C to +175 °C (TJ) |