ISC011N06LM5ATMA1 vs IQE004NE1LM7CGATMA1 比較

詳細な並列比較: ISC011N06LM5ATMA1 メーカー: Infineon および IQE004NE1LM7CGATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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ISC011N06LM5ATMA1 ISC011N06LM5ATMA1 - 60V 1.1mOhm OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

ISC011N06LM5ATMA1 - 60V 1.1mOhm OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

ISC011N06LM5ATMA1 ✓ 生産中
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IQE004NE1LM7CGATMA1 IQE004NE1LM7CGATMA1 - 15V OptiMOS 7 0.45mOhm N-FET | Infineon

IQE004NE1LM7CGATMA1 - 15V OptiMOS 7 0.45mOhm N-FET | Infineon

IQE004NE1LM7CGATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ ISC011N06LM5ATMA1 IQE004NE1LM7CGATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.74 $1.06
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number ISC011N06LM5ATMA1 —
Technology OptiMOS 5 N-Channel Trench Power MOSFET
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 15 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta 37 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 288 A —
Power Dissipation (PD) at Ta 3 W —
Power Dissipation (PD) at Tc 188 W —
RDS(on) max at VGS=10V 1.15 mOhm —
パッケージ PG-TDSON-8-17 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TTFN-9-3 (surface mount)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
ピン数 8 —
動作温度範囲 -55C to +175C —
RoHS ステータス Compliant Compliant
MSLレベル [DATA_NEEDED: MSL level] [DATA_NEEDED: MSL rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) value] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg value] —
Series — OptiMOS 7
Continuous Drain Current (ID, TA=25C) — 58 A
Continuous Drain Current (ID, TC=25C) — 379 A
Power Dissipation (TA=25C) — 2.1 W
Power Dissipation (TC=25C) — 89 W
On-Resistance RDS(on) max — 0.45 mOhm at VGS=10 V
Gate Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: typical VGS(th)]
動作温度 — -55C to +150C (junction)
Packaging — Tape & Reel (CGATMA1 suffix)
Polarization — N-Channel

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