ISC037N12NM6ATMA1 vs IQD063N15NM5SCATMA1 比較

詳細な並列比較: ISC037N12NM6ATMA1 メーカー: Infineon および IQD063N15NM5SCATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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ISC037N12NM6ATMA1 ISC037N12NM6ATMA1 - 120V 3.7mOhm N-Channel OptiMOS 6 | Infineon

ISC037N12NM6ATMA1 - 120V 3.7mOhm N-Channel OptiMOS 6 | Infineon

ISC037N12NM6ATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ ISC037N12NM6ATMA1 IQD063N15NM5SCATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $3.62 $2.35
Technology OptiMOS 6 (N-channel trench MOSFET) —
Drain-Source Voltage (Vds) 120 V —
Continuous Drain Current (Id) at Ta=25C 19.2 A —
Pulsed Drain Current (Idm) at Tc 163 A —
On-Resistance Rds(on) typ at Vgs=10V 3.7 mOhm —
Power Dissipation at Ta 3 W —
Power Dissipation at Tc 214 W —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: Vgs(th) value] —
Gate Charge (Qg) typ [DATA_NEEDED: Qg total] —
パッケージ PG-TDSON-8 FL (SuperSO8) PG-WHSON-8-U02 (WHSON-8 with exposed pad)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
動作温度範囲 -55C to +175C (junction) -55°C to +175°C
RoHS ステータス Compliant Compliant
Avalanche Energy Rated Yes (single-pulse) —
MSLレベル 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — OptiMOS™ 5
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 150 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 151 A
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C — 14.4 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM]
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V — 5.1 mΩ
On-Resistance RDS(on) at VGS=4.5V — 6.32 mΩ (typ)
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — 3.8 V (max)
Total Gate Charge (QG) at VGS=10V — 48 nC
Input Capacitance (Ciss) — 3.6 nF
Output Capacitance (Coss) — 900 pF
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — 21 pF
Maximum Power Dissition (PD) at TC=25°C — 333 W
Maximum Power Dissition (PD) at TA=25°C — 3 W

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