ISC037N12NM6ATMA1 vs IQD063N15NM5SCATMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: ISC037N12NM6ATMA1 제조: Infineon 및 IQD063N15NM5SCATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 ISC037N12NM6ATMA1 IQD063N15NM5SCATMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $3.62 $2.35
Technology OptiMOS 6 (N-channel trench MOSFET) —
Drain-Source Voltage (Vds) 120 V —
Continuous Drain Current (Id) at Ta=25C 19.2 A —
Pulsed Drain Current (Idm) at Tc 163 A —
On-Resistance Rds(on) typ at Vgs=10V 3.7 mOhm —
Power Dissipation at Ta 3 W —
Power Dissipation at Tc 214 W —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: Vgs(th) value] —
Gate Charge (Qg) typ [DATA_NEEDED: Qg total] —
패키지 PG-TDSON-8 FL (SuperSO8) PG-WHSON-8-U02 (WHSON-8 with exposed pad)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
동작 온도 범위 -55C to +175C (junction) -55°C to +175°C
RoHS 상태 Compliant Compliant
Avalanche Energy Rated Yes (single-pulse) —
MSL 레벨 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — OptiMOS™ 5
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 150 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 151 A
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C — 14.4 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM]
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V — 5.1 mΩ
On-Resistance RDS(on) at VGS=4.5V — 6.32 mΩ (typ)
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — 3.8 V (max)
Total Gate Charge (QG) at VGS=10V — 48 nC
Input Capacitance (Ciss) — 3.6 nF
Output Capacitance (Coss) — 900 pF
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — 21 pF
Maximum Power Dissition (PD) at TC=25°C — 333 W
Maximum Power Dissition (PD) at TA=25°C — 3 W

데이터시트 & 자료

모든 제품 보기 BOM 생성 견적 요청