ISC037N12NM6ATMA1 vs IQD063N15NM5SCATMA1 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de ISC037N12NM6ATMA1 por Infineon e IQD063N15NM5SCATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Infineon
IQD063N15NM5SCATMA1 - 150V 5.1mΩ OptiMOS 5 N-Channel MOSFET | Infineon
IQD063N15NM5SCATMA1 ✓ AtivoComparação de especificações
| Parâmetro | ISC037N12NM6ATMA1 | IQD063N15NM5SCATMA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoria | MOSFETs | MOSFETs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $3,62 | $2,35 |
| Technology | OptiMOS 6 (N-channel trench MOSFET) | — |
| Drain-Source Voltage (Vds) | 120 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) at Ta=25C | 19.2 A | — |
| Pulsed Drain Current (Idm) at Tc | 163 A | — |
| On-Resistance Rds(on) typ at Vgs=10V | 3.7 mOhm | — |
| Power Dissipation at Ta | 3 W | — |
| Power Dissipation at Tc | 214 W | — |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | [DATA_NEEDED: Vgs(th) value] | — |
| Gate Charge (Qg) typ | [DATA_NEEDED: Qg total] | — |
| Encapsulamento | PG-TDSON-8 FL (SuperSO8) | PG-WHSON-8-U02 (WHSON-8 with exposed pad) |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Faixa de temperatura de operação | -55C to +175C (junction) | -55°C to +175°C |
| Status RoHS | Compliant | Compliant |
| Avalanche Energy Rated | Yes (single-pulse) | — |
| Nível MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Series | — | OptiMOS™ 5 |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 150 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | — | 151 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | — | 14.4 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: IDM] |
| On-Resistance RDS(on) at VGS=10V | — | 5.1 mΩ |
| On-Resistance RDS(on) at VGS=4.5V | — | 6.32 mΩ (typ) |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 3.8 V (max) |
| Total Gate Charge (QG) at VGS=10V | — | 48 nC |
| Input Capacitance (Ciss) | — | 3.6 nF |
| Output Capacitance (Coss) | — | 900 pF |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | — | 21 pF |
| Maximum Power Dissition (PD) at TC=25°C | — | 333 W |
| Maximum Power Dissition (PD) at TA=25°C | — | 3 W |