ISC056N08NM6ATMA1 vs IQDH35N03LM5SCATMA1 比較
詳細な並列比較: ISC056N08NM6ATMA1 メーカー: Infineon および IQDH35N03LM5SCATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | ISC056N08NM6ATMA1 | IQDH35N03LM5SCATMA1 |
|---|---|---|
| ブランド | Infineon | Infineon |
| カテゴリ | MOSFETs | MOSFETs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $0.78 | $2.05 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | ISC056N08NM6ATMA1 | — |
| Series | OptiMOS 6 | — |
| Technology | N-Channel Trench MOSFET (OptiMOS 6) | OptiMOS 5 (trench, shielded-gate) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 80 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | 15.3 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | 88 A | — |
| Power Dissipation (PD) at TA=25°C | 3 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | 100 W | — |
| パッケージ | PG-TDSON-8 FL (TDSON-8 Flat Lead) | PG-WHSON-8-U02 (PQFN 5x6 Source-Down, 8-pin) |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount |
| Polarity | N-Channel | — |
| 動作温度範囲 | -55°C to +175°C | -55 C to +175 C |
| MSLレベル | 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 (unlimited) |
| RoHS ステータス | Compliant | Compliant |
| トランジスタタイプ | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | — | 30 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 66 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) at Tc | — | 700 A |
| On-State Resistance (RDS(on)) max | — | 0.35 mOhm @ VGS=10V |
| Power Dissipation (PD) at Ta | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 278 W |
| Marking | — | IQDH35N03LM5S |