ISC056N08NM6ATMA1 vs IQDH35N03LM5SCATMA1 Сравнение
Подробное сравнение бок о бок ISC056N08NM6ATMA1 от Infineon и IQDH35N03LM5SCATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Infineon
IQDH35N03LM5SCATMA1 - 30V 700A N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon
IQDH35N03LM5SCATMA1 ✓ АктивенСравнение характеристик
| Параметр | ISC056N08NM6ATMA1 | IQDH35N03LM5SCATMA1 |
|---|---|---|
| Бренд | Infineon | Infineon |
| Категория | MOSFETs | MOSFETs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $0,78 | $2,05 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | ISC056N08NM6ATMA1 | — |
| Series | OptiMOS 6 | — |
| Technology | N-Channel Trench MOSFET (OptiMOS 6) | OptiMOS 5 (trench, shielded-gate) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 80 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | 15.3 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | 88 A | — |
| Power Dissipation (PD) at TA=25°C | 3 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | 100 W | — |
| Корпус | PG-TDSON-8 FL (TDSON-8 Flat Lead) | PG-WHSON-8-U02 (PQFN 5x6 Source-Down, 8-pin) |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Polarity | N-Channel | — |
| Диапазон рабочих температур | -55°C to +175°C | -55 C to +175 C |
| Уровень MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 (unlimited) |
| Статус RoHS | Compliant | Compliant |
| Тип транзистора | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | — | 30 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 66 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) at Tc | — | 700 A |
| On-State Resistance (RDS(on)) max | — | 0.35 mOhm @ VGS=10V |
| Power Dissipation (PD) at Ta | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 278 W |
| Marking | — | IQDH35N03LM5S |