K4A4G085WF-BITD vs K4A4G085WG-BCWE 比較
詳細な並列比較: K4A4G085WF-BITD メーカー: Samsung Electronics および K4A4G085WG-BCWE メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | K4A4G085WF-BITD | K4A4G085WG-BCWE |
|---|---|---|
| ブランド | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| カテゴリ | DRAM | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $2.65 | $2.68 |
| メモリタイプ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM (Volatile) |
| Density | 4 Gbit | — |
| メモリ構成 | 512M x 8 | — |
| Speed | 2666 Mbps (MT/s) | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | 1.2 V |
| VPP Voltage | 2.5 V | — |
| 動作温度 | -40C to +95C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| パッケージ | 78-ball FBGA (78FBGA) | FBGA-78 (BCW) |
| Bank Architecture | 8 banks x 4 bank groups | — |
| Burst Length | BL8 | BL8 |
| CASレイテンシ | CL19 (typical at 2666 Mbps) | — |
| 実装タイプ | Surface Mount (BGA) | Surface Mount |
| インターフェース | Parallel, DDR4 SSTL12 | Parallel (DDR4) |
| Refresh | Self-refresh and auto-refresh (8K/64ms per JEDEC DDR4) | [DATA_NEEDED: refresh rate specification] |
| Termination | ODT / dynamic ODT | — |
| Data Mask | DM supported (x8) | — |
| Application Grade | Industrial | — |
| メモリサイズ | — | 4 Gb |
| Memory Organization | — | 512M x 8 |
| データレート | — | 3200 Mbps/pin |
| Speed Class | — | DDR4-3200 |
| Technology | — | D-die DDR4 |
| DLL Mode | — | DLL Enabled (per datasheet timing) |
| RoHS ステータス | — | Compliant |
| Packaging | — | Tray |