K4A4G085WF-BITD vs K4A4G085WG-BCWE Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4A4G085WF-BITD par Samsung Electronics et K4A4G085WG-BCWE par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | K4A4G085WF-BITD | K4A4G085WG-BCWE |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Catégorie | DRAM | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $2,65 | $2,68 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM (Volatile) |
| Density | 4 Gbit | — |
| Organisation de la mémoire | 512M x 8 | — |
| Speed | 2666 Mbps (MT/s) | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | 1.2 V |
| VPP Voltage | 2.5 V | — |
| Température de fonctionnement | -40C to +95C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Boîtier | 78-ball FBGA (78FBGA) | FBGA-78 (BCW) |
| Bank Architecture | 8 banks x 4 bank groups | — |
| Burst Length | BL8 | BL8 |
| Latence CAS | CL19 (typical at 2666 Mbps) | — |
| Type de montage | Surface Mount (BGA) | Surface Mount |
| Interface | Parallel, DDR4 SSTL12 | Parallel (DDR4) |
| Refresh | Self-refresh and auto-refresh (8K/64ms per JEDEC DDR4) | [DATA_NEEDED: refresh rate specification] |
| Termination | ODT / dynamic ODT | — |
| Data Mask | DM supported (x8) | — |
| Application Grade | Industrial | — |
| Taille de mémoire | — | 4 Gb |
| Memory Organization | — | 512M x 8 |
| Débit de données | — | 3200 Mbps/pin |
| Speed Class | — | DDR4-3200 |
| Technology | — | D-die DDR4 |
| DLL Mode | — | DLL Enabled (per datasheet timing) |
| Statut RoHS | — | Compliant |
| Packaging | — | Tray |