K4A8G045WB-BCRC vs K4A8G045WB-BCPB 比較

詳細な並列比較: K4A8G045WB-BCRC メーカー: Samsung Electronics および K4A8G045WB-BCPB メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Samsung Electronics
K4A8G045WB-BCRC K4A8G045WB-BCRC - 8Gb DDR4 2Gx4 2400Mbps B-die | Samsung

K4A8G045WB-BCRC - 8Gb DDR4 2Gx4 2400Mbps B-die | Samsung

K4A8G045WB-BCRC ✓ 生産中
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K4A8G045WB-BCPB K4A8G045WB-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM 2Gx4 2133Mbps | Samsung

K4A8G045WB-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM 2Gx4 2133Mbps | Samsung

K4A8G045WB-BCPB ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ K4A8G045WB-BCRC K4A8G045WB-BCPB
ブランド Samsung Electronics Samsung Electronics
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $2.95 $9.02
メモリタイプ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM (B-die)
Density 8 Gb 8 Gb
メモリ構成 2G x 4 2G x 4
Speed 2400 Mbps —
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 1.2 V —
Process Technology Samsung B-die —
インターフェース CMOS, differential clock (CK/CK#) —
Refresh Cycles 8192 8192
Maximum Supply Current 211.7 mA —
動作温度 0 C to 85 C 0C to +85C
パッケージ 78-ball FBGA (PBGA78) 78-ball FBGA
Terminals 78 —
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Key DDR4 Features Posted CAS, Programmable CWL, Internal (Self) Calibration, ODT, Asynchronous Reset —
DLL Mode Timing specified for DLL-enabled operation —
RoHS ステータス Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
データレート — 2133 Mbps/pin (PC4-2133)
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
Prefetch Architecture — 8n
Burst Length — BL8, BC4 (burst chop)
Refresh Modes — Auto-refresh, Self-refresh
Termination — On-Die Termination (ODT)
Reset — Asynchronous Reset
Clocking — Differential clocks (CK/CK#)
Max Supply Current — 211.7 mA
特長 — Posted CAS, Programmable CWL, Internal (Self) Calibration

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