K4A8G045WB-BCRC vs K4A8G045WB-BCPB Сравнение

Подробное сравнение бок о бок K4A8G045WB-BCRC от Samsung Electronics и K4A8G045WB-BCPB от Samsung Electronics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Samsung Electronics
K4A8G045WB-BCRC K4A8G045WB-BCRC - 8Gb DDR4 2Gx4 2400Mbps B-die | Samsung

K4A8G045WB-BCRC - 8Gb DDR4 2Gx4 2400Mbps B-die | Samsung

K4A8G045WB-BCRC ✓ Активен
Samsung Electronics
K4A8G045WB-BCPB K4A8G045WB-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM 2Gx4 2133Mbps | Samsung

K4A8G045WB-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM 2Gx4 2133Mbps | Samsung

K4A8G045WB-BCPB ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр K4A8G045WB-BCRC K4A8G045WB-BCPB
Бренд Samsung Electronics Samsung Electronics
Категория Memory ICs Memory ICs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $2,95 $9,02
Тип памяти DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM (B-die)
Density 8 Gb 8 Gb
Организация памяти 2G x 4 2G x 4
Speed 2400 Mbps —
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 1.2 V —
Process Technology Samsung B-die —
Интерфейс CMOS, differential clock (CK/CK#) —
Refresh Cycles 8192 8192
Maximum Supply Current 211.7 mA —
Рабочая температура 0 C to 85 C 0C to +85C
Корпус 78-ball FBGA (PBGA78) 78-ball FBGA
Terminals 78 —
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Key DDR4 Features Posted CAS, Programmable CWL, Internal (Self) Calibration, ODT, Asynchronous Reset —
DLL Mode Timing specified for DLL-enabled operation —
Статус RoHS Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
Скорость передачи данных — 2133 Mbps/pin (PC4-2133)
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
Prefetch Architecture — 8n
Burst Length — BL8, BC4 (burst chop)
Refresh Modes — Auto-refresh, Self-refresh
Termination — On-Die Termination (ODT)
Reset — Asynchronous Reset
Clocking — Differential clocks (CK/CK#)
Max Supply Current — 211.7 mA
Особенности — Posted CAS, Programmable CWL, Internal (Self) Calibration

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену