K4A8G085WB-BCTD vs K4A8G085WB-BITD 比較

詳細な並列比較: K4A8G085WB-BCTD メーカー: Samsung Electronics および K4A8G085WB-BITD メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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K4A8G085WB-BCTD K4A8G085WB-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 | Samsung | FBGA-78

K4A8G085WB-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 | Samsung | FBGA-78

K4A8G085WB-BCTD ✓ 生産中
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K4A8G085WB-BITD K4A8G085WB-BITD - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | Samsung

K4A8G085WB-BITD - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | Samsung

K4A8G085WB-BITD ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ K4A8G085WB-BCTD K4A8G085WB-BITD
ブランド Samsung Electronics Samsung Electronics
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $7.50 $3.80
メモリタイプ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
メモリサイズ 8 Gb (1G x 8) —
電源電圧 1.2 V 1.2 V
データレート 3200 Mbps (PC4-25600) 2666 Mbps
Speed Bin CL22-22-22 —
パッケージ FBGA-78 (TFBGA) 78FBGA
動作温度 0°C to +95°C (TC) -40°C to +95°C
Burst Length 8 (BL8) —
On-Die Termination Yes (ODT) —
ZQ Calibration Yes —
Auto Precharge Yes —
Asynchronous Reset Yes —
CRC Function Yes —
Dynamic On-Chip Termination Yes —
Data Mask Function Yes —
JESD-30 Code R-PBGA-B78 —
Number of Terminals 78 —
RoHS ステータス Compliant Compliant
Density — 8 Gb
メモリ構成 — 1G x 8
実装タイプ — Surface Mount
ピン数 — 78
CASレイテンシ — [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Row Cycle Time (tRC) — [DATA_NEEDED: tRC]
Refresh Cycle Time (tRFC) — [DATA_NEEDED: tRFC]
インターフェース — Parallel
Lead-Free — Yes

データシート&リソース

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