K4A8G085WB-BCTD vs K4A8G085WB-BITD 对比

详细并排对比 K4A8G085WB-BCTD 出自 Samsung Electronics 和 K4A8G085WB-BITD 出自 Samsung Electronics。对比关键规格、电气参数、封装、生命周期状态、价格和供货情况,以确定最适合您设计需求的元器件。

Samsung Electronics
K4A8G085WB-BCTD K4A8G085WB-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 | Samsung | FBGA-78

K4A8G085WB-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 | Samsung | FBGA-78

K4A8G085WB-BCTD ✓ 量产中
Samsung Electronics
K4A8G085WB-BITD K4A8G085WB-BITD - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | Samsung

K4A8G085WB-BITD - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | Samsung

K4A8G085WB-BITD ✓ 量产中

规格对比

参数 K4A8G085WB-BCTD K4A8G085WB-BITD
品牌 Samsung Electronics Samsung Electronics
分类 Memory ICs Memory ICs
生命周期状态 有效 有效
库存状态 有库存 有库存
单价(USD) $7.50 $3.80
存储器类型 DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
存储容量 8 Gb (1G x 8) —
电源电压 1.2 V 1.2 V
数据速率 3200 Mbps (PC4-25600) 2666 Mbps
Speed Bin CL22-22-22 —
封装 FBGA-78 (TFBGA) 78FBGA
工作温度 0°C to +95°C (TC) -40°C to +95°C
Burst Length 8 (BL8) —
On-Die Termination Yes (ODT) —
ZQ Calibration Yes —
Auto Precharge Yes —
Asynchronous Reset Yes —
CRC Function Yes —
Dynamic On-Chip Termination Yes —
Data Mask Function Yes —
JESD-30 Code R-PBGA-B78 —
Number of Terminals 78 —
RoHS 状态 Compliant Compliant
Density — 8 Gb
存储组织 — 1G x 8
安装类型 — Surface Mount
引脚数 — 78
CAS 延迟 — [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Row Cycle Time (tRC) — [DATA_NEEDED: tRC]
Refresh Cycle Time (tRFC) — [DATA_NEEDED: tRFC]
接口 — Parallel
Lead-Free — Yes

数据手册与资源

浏览全部产品 创建 BOM 获取报价