K4A8G085WB-BCTD vs K4A8G085WC-BCTD 比較

詳細な並列比較: K4A8G085WB-BCTD メーカー: Samsung Electronics および K4A8G085WC-BCTD メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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K4A8G085WB-BCTD K4A8G085WB-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 | Samsung | FBGA-78

K4A8G085WB-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 | Samsung | FBGA-78

K4A8G085WB-BCTD ✓ 生産中
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K4A8G085WC-BCTD K4A8G085WC-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps 1.2V | Samsung

K4A8G085WC-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps 1.2V | Samsung

K4A8G085WC-BCTD ⚠ ラストタイムバイ

仕様比較

パラメータ K4A8G085WB-BCTD K4A8G085WC-BCTD
ブランド Samsung Electronics Samsung Electronics
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 ラストバイ
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $7.50 $50.85
メモリタイプ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
メモリサイズ 8 Gb (1G x 8) —
電源電圧 1.2 V —
データレート 3200 Mbps (PC4-25600) 2666 Mbps (PC4-2133)
Speed Bin CL22-22-22 —
パッケージ FBGA-78 (TFBGA) 78-ball FBGA (78FBGA)
動作温度 0°C to +95°C (TC) 0C to +95C
Burst Length 8 (BL8) 8 (chop 4)
On-Die Termination Yes (ODT) —
ZQ Calibration Yes Yes
Auto Precharge Yes Yes
Asynchronous Reset Yes Yes
CRC Function Yes Yes
Dynamic On-Chip Termination Yes —
Data Mask Function Yes —
JESD-30 Code R-PBGA-B78 —
Number of Terminals 78 —
RoHS ステータス Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
Density — 8 Gb
メモリ構成 — 1G x 8
Supply Voltage (VDD/VDDQ) — 1.2 V (1.14 V to 1.26 V)
Ball Pitch — 0.8 mm
Standard Operating Temp Range — 0C to +85C
Dynamic ODT — Yes
Data Mask — Yes
インターフェースタイプ — Synchronous, parallel
実装タイプ — Surface Mount

データシート&リソース

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