K4A8G085WB-BCTD vs K4A8G085WC-BCTD 비교
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Samsung Electronics
K4A8G085WC-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps 1.2V | Samsung
K4A8G085WC-BCTD ⚠ 최종 구매사양 비교
| 파라미터 | K4A8G085WB-BCTD | K4A8G085WC-BCTD |
|---|---|---|
| 브랜드 | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 최종 구매 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $7.50 | $50.85 |
| 메모리 유형 | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| 메모리 크기 | 8 Gb (1G x 8) | — |
| 공급 전압 | 1.2 V | — |
| 데이터 속도 | 3200 Mbps (PC4-25600) | 2666 Mbps (PC4-2133) |
| Speed Bin | CL22-22-22 | — |
| 패키지 | FBGA-78 (TFBGA) | 78-ball FBGA (78FBGA) |
| 동작 온도 | 0°C to +95°C (TC) | 0C to +95C |
| Burst Length | 8 (BL8) | 8 (chop 4) |
| On-Die Termination | Yes (ODT) | — |
| ZQ Calibration | Yes | Yes |
| Auto Precharge | Yes | Yes |
| Asynchronous Reset | Yes | Yes |
| CRC Function | Yes | Yes |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | — |
| Data Mask Function | Yes | — |
| JESD-30 Code | R-PBGA-B78 | — |
| Number of Terminals | 78 | — |
| RoHS 상태 | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Density | — | 8 Gb |
| 메모리 구성 | — | 1G x 8 |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) |
| Ball Pitch | — | 0.8 mm |
| Standard Operating Temp Range | — | 0C to +85C |
| Dynamic ODT | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| 인터페이스 유형 | — | Synchronous, parallel |
| 실장 유형 | — | Surface Mount |