K4A8G085WB-BIWE vs K4A8G085WB-BCTD 比較
詳細な並列比較: K4A8G085WB-BIWE メーカー: Samsung Electronics および K4A8G085WB-BCTD メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | K4A8G085WB-BIWE | K4A8G085WB-BCTD |
|---|---|---|
| ブランド | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| カテゴリ | Memory ICs | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $6.50 | $7.50 |
| メモリタイプ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| メモリサイズ | 8 Gb | 8 Gb (1G x 8) |
| Memory Organization | 1G x 8 | — |
| データレート | 3200 Mbps | 3200 Mbps (PC4-25600) |
| 電源電圧 | 1.2 V | 1.2 V |
| 動作温度 | 0°C to +85°C | 0°C to +95°C (TC) |
| パッケージ | 78-FBGA | FBGA-78 (TFBGA) |
| 実装タイプ | Surface Mount | — |
| Memory Interface | Parallel | — |
| Access Time | [DATA_NEEDED: tRCD, tRP, tRAS] | — |
| CASレイテンシ | [DATA_NEEDED: CL value] | — |
| Refresh | Auto-refresh, self-refresh | — |
| RoHS ステータス | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| ハロゲンフリー | Yes | — |
| Speed Bin | — | CL22-22-22 |
| Burst Length | — | 8 (BL8) |
| On-Die Termination | — | Yes (ODT) |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| Dynamic On-Chip Termination | — | Yes |
| Data Mask Function | — | Yes |
| JESD-30 Code | — | R-PBGA-B78 |
| Number of Terminals | — | 78 |