K4A8G085WB-BIWE vs K4A8G085WB-BCTD Сравнение
Подробное сравнение бок о бок K4A8G085WB-BIWE от Samsung Electronics и K4A8G085WB-BCTD от Samsung Electronics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Samsung Electronics
K4A8G085WB-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 | Samsung | FBGA-78
K4A8G085WB-BCTD ✓ АктивенСравнение характеристик
| Параметр | K4A8G085WB-BIWE | K4A8G085WB-BCTD |
|---|---|---|
| Бренд | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Категория | Memory ICs | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $6,50 | $7,50 |
| Тип памяти | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Размер памяти | 8 Gb | 8 Gb (1G x 8) |
| Memory Organization | 1G x 8 | — |
| Скорость передачи данных | 3200 Mbps | 3200 Mbps (PC4-25600) |
| Напряжение питания | 1.2 V | 1.2 V |
| Рабочая температура | 0°C to +85°C | 0°C to +95°C (TC) |
| Корпус | 78-FBGA | FBGA-78 (TFBGA) |
| Тип монтажа | Surface Mount | — |
| Memory Interface | Parallel | — |
| Access Time | [DATA_NEEDED: tRCD, tRP, tRAS] | — |
| Задержка CAS | [DATA_NEEDED: CL value] | — |
| Refresh | Auto-refresh, self-refresh | — |
| Статус RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Без галогенов | Yes | — |
| Speed Bin | — | CL22-22-22 |
| Burst Length | — | 8 (BL8) |
| On-Die Termination | — | Yes (ODT) |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| Dynamic On-Chip Termination | — | Yes |
| Data Mask Function | — | Yes |
| JESD-30 Code | — | R-PBGA-B78 |
| Number of Terminals | — | 78 |