K4A8G085WC-BCTD vs K4A8G085WC-BCPB 比較

詳細な並列比較: K4A8G085WC-BCTD メーカー: Samsung Electronics および K4A8G085WC-BCPB メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Samsung Electronics
K4A8G085WC-BCTD K4A8G085WC-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps 1.2V | Samsung

K4A8G085WC-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps 1.2V | Samsung

K4A8G085WC-BCTD ⚠ ラストタイムバイ
Samsung Electronics
K4A8G085WC-BCPB K4A8G085WC-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM 2133Mbps 1.2V | Samsung

K4A8G085WC-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM 2133Mbps 1.2V | Samsung

K4A8G085WC-BCPB ✗ 生産終了

仕様比較

パラメータ K4A8G085WC-BCTD K4A8G085WC-BCPB
ブランド Samsung Electronics Samsung Electronics
カテゴリ Memory ICs DRAM
ライフサイクル状態 ラストバイ 製造終了
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $50.85 $2.95
メモリタイプ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gb 8 Gb
メモリ構成 1G x 8 1G x 8
データレート 2666 Mbps (PC4-2133) 2133 Mbps
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) —
パッケージ 78-ball FBGA (78FBGA) 78FBGA
Ball Pitch 0.8 mm —
動作温度 0C to +95C 0 C to +85 C
Standard Operating Temp Range 0C to +85C —
Burst Length 8 (chop 4) —
Auto Precharge Yes —
Asynchronous Reset Yes —
CRC Function Yes —
ZQ Calibration Yes —
Dynamic ODT Yes —
Data Mask Yes —
インターフェースタイプ Synchronous, parallel —
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
RoHS ステータス [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
電源電圧 — 1.2 V
Number of Terminals — 78
Maximum Seated Height — 1.2 mm
Speed Grade — DDR4-2133
特長 — Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask
Refresh — [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x]
CASレイテンシ — [DATA_NEEDED: CAS latency]
Die Revision — [DATA_NEEDED: die revision]
Standard Package Quantity — [DATA_NEEDED: standard package quantity]

データシート&リソース

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