K4A8G085WC-BCTD vs K4A8G085WC-BCPB Сравнение

Подробное сравнение бок о бок K4A8G085WC-BCTD от Samsung Electronics и K4A8G085WC-BCPB от Samsung Electronics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Samsung Electronics
K4A8G085WC-BCTD K4A8G085WC-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps 1.2V | Samsung

K4A8G085WC-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps 1.2V | Samsung

K4A8G085WC-BCTD ⚠ Последняя закупка
Samsung Electronics
K4A8G085WC-BCPB K4A8G085WC-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM 2133Mbps 1.2V | Samsung

K4A8G085WC-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM 2133Mbps 1.2V | Samsung

K4A8G085WC-BCPB ✗ Снят с производства

Сравнение характеристик

Параметр K4A8G085WC-BCTD K4A8G085WC-BCPB
Бренд Samsung Electronics Samsung Electronics
Категория Memory ICs DRAM
Статус жизненного цикла Последняя закупка Снято с производства
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $50,85 $2,95
Тип памяти DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gb 8 Gb
Организация памяти 1G x 8 1G x 8
Скорость передачи данных 2666 Mbps (PC4-2133) 2133 Mbps
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) —
Корпус 78-ball FBGA (78FBGA) 78FBGA
Ball Pitch 0.8 mm —
Рабочая температура 0C to +95C 0 C to +85 C
Standard Operating Temp Range 0C to +85C —
Burst Length 8 (chop 4) —
Auto Precharge Yes —
Asynchronous Reset Yes —
CRC Function Yes —
ZQ Calibration Yes —
Dynamic ODT Yes —
Data Mask Yes —
Тип интерфейса Synchronous, parallel —
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Статус RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
Напряжение питания — 1.2 V
Number of Terminals — 78
Maximum Seated Height — 1.2 mm
Speed Grade — DDR4-2133
Особенности — Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask
Refresh — [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x]
Задержка CAS — [DATA_NEEDED: CAS latency]
Die Revision — [DATA_NEEDED: die revision]
Standard Package Quantity — [DATA_NEEDED: standard package quantity]

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену