K4A8G085WC vs H5AN8G6NAFR-UHC 比較
詳細な並列比較: K4A8G085WC メーカー: Samsung Electronics および H5AN8G6NAFR-UHC メーカー: SK hynix。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
Samsung Electronics
K4A8G085WC - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 2666Mbps | Samsung Electronics
K4A8G085WC ✓ 生産中
仕様比較
| パラメータ | K4A8G085WC | H5AN8G6NAFR-UHC |
|---|---|---|
| ブランド | Samsung Electronics | SK hynix |
| カテゴリ | Memory ICs | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $24.90 | $5.74 |
| メモリタイプ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gbit | 8 Gb |
| メモリ構成 | 1G x 8 | 512M x 16 |
| Speed | 2666 Mbps/pin (DDR4-2666) | — |
| 電源電圧 | 1.2 V | 1.2 V |
| Supply Voltage Range | 1.14 V to 1.26 V | — |
| Clock Frequency | 1333 MHz (1333.333 GHz nominal, per web data) | — |
| Operating Temperature (K4A8G085WC-BITD) | -40 C to +95 C | — |
| Operating Temperature (K4A8G085WC-BCTD) | 0 C to +95 C | — |
| パッケージ | 78-ball FBGA (78FBGA) | FBGA-96 |
| 実装タイプ | Surface Mount | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination (ODT) | Yes | — |
| Data Mask (DM) | Yes | — |
| RoHS ステータス | [DATA_NEEDED: RoHS status] | — |
| データレート | — | 2400 MT/s |
| 動作温度 | — | 0°C to +85°C |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Package Code | — | TFBGA |
| Lead-Free | — | Yes |
| ハロゲンフリー | — | Yes |
| RoHS Compliant | — | Yes |
| CASレイテンシ | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Burst Length | — | 8, 4 (with burst chop) |
| Refresh | — | Auto self-refresh |