K4AAG085WA-BCWE vs K4AAG085WM-BCRC 比較

詳細な並列比較: K4AAG085WA-BCWE メーカー: Samsung Electronics および K4AAG085WM-BCRC メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Samsung Electronics
K4AAG085WA-BCWE K4AAG085WA-BCWE - 16Gb DDR4-3200 SDRAM 1.2V | Samsung

K4AAG085WA-BCWE - 16Gb DDR4-3200 SDRAM 1.2V | Samsung

K4AAG085WA-BCWE ✓ 生産中
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K4AAG085WM-BCRC K4AAG085WM-BCRC - 32Gb DDR4 SDRAM x8 1.2V | Samsung

K4AAG085WM-BCRC - 32Gb DDR4 SDRAM x8 1.2V | Samsung

K4AAG085WM-BCRC ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ K4AAG085WA-BCWE K4AAG085WM-BCRC
ブランド Samsung Electronics Samsung Electronics
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $7.24 $1.00
メモリタイプ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 16 Gbit [DATA_NEEDED: exact density in Gb]
メモリ構成 2G x 8 x8
データレート 3200 Mbps (DDR4-3200) —
電源電圧 1.2 V —
Operating Voltage Range 1.14 V to 1.26 V —
動作温度 0 C to 85 C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
パッケージ 78-ball FBGA (9 x 11 mm, 0.8 mm pitch) 78-ball FBGA
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
インターフェース JEDEC DDR4 SSTL12
Memory Width 8-bit —
Refresh Auto-refresh (per JEDEC DDR4) —
Application Class Main memory / embedded DRAM —
RoHS ステータス Compliant (per JLCPCB listing) [DATA_NEEDED: RoHS status]
Manufacturer Samsung Electronics —
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
I/O Voltage (VDDQ) — 1.2 V
Max Data Rate — Up to 3200 Mbps/pin (family max per Samsung DDR4 page)
Architecture — Bank-group DDR4
Termination — On-Die Termination (ODT)
CASレイテンシ — [DATA_NEEDED: CL of -BCRC speed grade]
Clock — Differential clock CK/CK#
MSLレベル — [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]

データシート&リソース

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