K4AAG085WA-BCWE vs K4AAG085WM-BCRC 비교
다음의 상세 나란히 비교: K4AAG085WA-BCWE 제조: Samsung Electronics 및 K4AAG085WM-BCRC 제조: Samsung Electronics. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | K4AAG085WA-BCWE | K4AAG085WM-BCRC |
|---|---|---|
| 브랜드 | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $7.24 | $1.00 |
| 메모리 유형 | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 16 Gbit | [DATA_NEEDED: exact density in Gb] |
| 메모리 구성 | 2G x 8 | x8 |
| 데이터 속도 | 3200 Mbps (DDR4-3200) | — |
| 공급 전압 | 1.2 V | — |
| Operating Voltage Range | 1.14 V to 1.26 V | — |
| 동작 온도 | 0 C to 85 C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| 패키지 | 78-ball FBGA (9 x 11 mm, 0.8 mm pitch) | 78-ball FBGA |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| 인터페이스 | JEDEC DDR4 | SSTL12 |
| Memory Width | 8-bit | — |
| Refresh | Auto-refresh (per JEDEC DDR4) | — |
| Application Class | Main memory / embedded DRAM | — |
| RoHS 상태 | Compliant (per JLCPCB listing) | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Manufacturer | Samsung Electronics | — |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| I/O Voltage (VDDQ) | — | 1.2 V |
| Max Data Rate | — | Up to 3200 Mbps/pin (family max per Samsung DDR4 page) |
| Architecture | — | Bank-group DDR4 |
| Termination | — | On-Die Termination (ODT) |
| CAS 레이턴시 | — | [DATA_NEEDED: CL of -BCRC speed grade] |
| Clock | — | Differential clock CK/CK# |
| MSL 레벨 | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |