K4AAG085WA-BCWE vs K4AAG085WM-BCRC Сравнение
Подробное сравнение бок о бок K4AAG085WA-BCWE от Samsung Electronics и K4AAG085WM-BCRC от Samsung Electronics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Сравнение характеристик
| Параметр | K4AAG085WA-BCWE | K4AAG085WM-BCRC |
|---|---|---|
| Бренд | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Категория | Memory ICs | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $7,24 | $1,00 |
| Тип памяти | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 16 Gbit | [DATA_NEEDED: exact density in Gb] |
| Организация памяти | 2G x 8 | x8 |
| Скорость передачи данных | 3200 Mbps (DDR4-3200) | — |
| Напряжение питания | 1.2 V | — |
| Operating Voltage Range | 1.14 V to 1.26 V | — |
| Рабочая температура | 0 C to 85 C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Корпус | 78-ball FBGA (9 x 11 mm, 0.8 mm pitch) | 78-ball FBGA |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Интерфейс | JEDEC DDR4 | SSTL12 |
| Memory Width | 8-bit | — |
| Refresh | Auto-refresh (per JEDEC DDR4) | — |
| Application Class | Main memory / embedded DRAM | — |
| Статус RoHS | Compliant (per JLCPCB listing) | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Manufacturer | Samsung Electronics | — |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| I/O Voltage (VDDQ) | — | 1.2 V |
| Max Data Rate | — | Up to 3200 Mbps/pin (family max per Samsung DDR4 page) |
| Architecture | — | Bank-group DDR4 |
| Termination | — | On-Die Termination (ODT) |
| Задержка CAS | — | [DATA_NEEDED: CL of -BCRC speed grade] |
| Clock | — | Differential clock CK/CK# |
| Уровень MSL | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |