K4AAG165WM-BCRC vs H5ANAG8NCMR-VKC 比較
詳細な並列比較: K4AAG165WM-BCRC メーカー: Samsung Electronics および H5ANAG8NCMR-VKC メーカー: SK hynix。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | K4AAG165WM-BCRC | H5ANAG8NCMR-VKC |
|---|---|---|
| ブランド | Samsung Electronics | SK hynix |
| カテゴリ | Memory ICs | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $22.60 | $8.05 |
| メモリタイプ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 16 Gb | — |
| メモリ構成 | 1G x 16 | — |
| データレート | 3200 Mbps | 2666 Mbps/pin (DDR4-2666) |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | 1.2 V |
| インターフェース | DDR4 (SSTL-12) | — |
| パッケージ | 96-ball FBGA | FBGA-78 |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | — |
| Data Mask Function | Yes | — |
| 動作温度 | [DATA_NEEDED: operating temperature range for K4AAG165WM-BCRC] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| CAS Latency (CL) | [DATA_NEEDED: CAS latency at 3200 Mbps] | — |
| RoHS ステータス | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| メモリサイズ | — | 16 Gb |
| Memory Organization | — | 2G x 8 |
| I/O Voltage (VDDQ) | — | 1.2 V |
| Speed Grade | — | VK (per SK hynix speed-bin suffix) |
| Power Class | — | Normal Power |
| Bank Groups | — | 4 |
| Banks Total | — | 16 |
| CASレイテンシ | — | [DATA_NEEDED: CAS latency for VK speed bin] |
| Packaging | — | [DATA_NEEDED: standard packing quantity] |
| Manufacturer Process | — | CMOS DRAM |