K4AAG165WM-BCRC vs H5ANAG8NCMR-VKC Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4AAG165WM-BCRC par Samsung Electronics et H5ANAG8NCMR-VKC par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Samsung Electronics
K4AAG165WM-BCRC - 16Gb DDR4 x16 SDRAM 3200Mbps | Samsung
K4AAG165WM-BCRC ✓ Actif
Comparaison des spécifications
| Paramètre | K4AAG165WM-BCRC | H5ANAG8NCMR-VKC |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | SK hynix |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $22,60 | $8,05 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 16 Gb | — |
| Organisation de la mémoire | 1G x 16 | — |
| Débit de données | 3200 Mbps | 2666 Mbps/pin (DDR4-2666) |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | 1.2 V |
| Interface | DDR4 (SSTL-12) | — |
| Boîtier | 96-ball FBGA | FBGA-78 |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | — |
| Data Mask Function | Yes | — |
| Température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: operating temperature range for K4AAG165WM-BCRC] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| CAS Latency (CL) | [DATA_NEEDED: CAS latency at 3200 Mbps] | — |
| Statut RoHS | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Taille de mémoire | — | 16 Gb |
| Memory Organization | — | 2G x 8 |
| I/O Voltage (VDDQ) | — | 1.2 V |
| Speed Grade | — | VK (per SK hynix speed-bin suffix) |
| Power Class | — | Normal Power |
| Bank Groups | — | 4 |
| Banks Total | — | 16 |
| Latence CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS latency for VK speed bin] |
| Packaging | — | [DATA_NEEDED: standard packing quantity] |
| Manufacturer Process | — | CMOS DRAM |