K4AAG165WM-BCWE vs K4AAG165WM-BCTD 比較
詳細な並列比較: K4AAG165WM-BCWE メーカー: Samsung Electronics および K4AAG165WM-BCTD メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | K4AAG165WM-BCWE | K4AAG165WM-BCTD |
|---|---|---|
| ブランド | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| カテゴリ | DRAM | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $54.65 | $62.00 |
| メモリタイプ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 16 Gbit | 16 Gb |
| メモリ構成 | 256M x 16 (1G x 16) | 1G x 16 |
| データレート | 3200 Mbps | — |
| インターフェース | Parallel (DDR4) | SSTL-12 |
| Supply Voltage VDD | 1.2 V | — |
| Supply Voltage VDDQ | 1.2 V | — |
| Access Time (Clock Cycle Time) | [DATA_NEEDED: tCK for BCWE bin] | — |
| CASレイテンシ | [DATA_NEEDED: CL at 3200 Mbps] | — |
| Bank Groups | 4 (x16 configuration) | — |
| Burst Length | 8 | — |
| パッケージ | 78-ball FBGA | 96FBGA (96-ball Fine-Pitch Ball Grid Array) |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount (BGA solder reflow) |
| 動作温度 | [DATA_NEEDED: temperature range for WM-BCWE] | 0C to +85C |
| Die Revision | W (WM suffix) | — |
| RoHS ステータス | Compliant | RoHS (per LCSC listing) |
| Operating Frequency | 1600 MHz (DDR, 3200 Mbps) | — |
| Speed | — | 2666 Mbps |
| 電源電圧 | — | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Dynamic On-Chip Termination | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |