K4AAG165WM-BCWE vs K4AAG165WM-BCTD Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4AAG165WM-BCWE par Samsung Electronics et K4AAG165WM-BCTD par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | K4AAG165WM-BCWE | K4AAG165WM-BCTD |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Catégorie | DRAM | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $54,65 | $62,00 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 16 Gbit | 16 Gb |
| Organisation de la mémoire | 256M x 16 (1G x 16) | 1G x 16 |
| Débit de données | 3200 Mbps | — |
| Interface | Parallel (DDR4) | SSTL-12 |
| Supply Voltage VDD | 1.2 V | — |
| Supply Voltage VDDQ | 1.2 V | — |
| Access Time (Clock Cycle Time) | [DATA_NEEDED: tCK for BCWE bin] | — |
| Latence CAS | [DATA_NEEDED: CL at 3200 Mbps] | — |
| Bank Groups | 4 (x16 configuration) | — |
| Burst Length | 8 | — |
| Boîtier | 78-ball FBGA | 96FBGA (96-ball Fine-Pitch Ball Grid Array) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount (BGA solder reflow) |
| Température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: temperature range for WM-BCWE] | 0C to +85C |
| Die Revision | W (WM suffix) | — |
| Statut RoHS | Compliant | RoHS (per LCSC listing) |
| Operating Frequency | 1600 MHz (DDR, 3200 Mbps) | — |
| Speed | — | 2666 Mbps |
| Tension d'alimentation | — | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Dynamic On-Chip Termination | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |