K4B4G1646D-BHMA vs K4B4G1646E-BMK0 比較

詳細な並列比較: K4B4G1646D-BHMA メーカー: Samsung Electronics および K4B4G1646E-BMK0 メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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K4B4G1646D-BHMA K4B4G1646D-BHMA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Samsung

K4B4G1646D-BHMA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Samsung

K4B4G1646D-BHMA ✓ 生産中
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K4B4G1646E-BMK0 K4B4G1646E-BMK0 - 4Gb DDR3L SDRAM 1600Mbps | Samsung

K4B4G1646E-BMK0 - 4Gb DDR3L SDRAM 1600Mbps | Samsung

K4B4G1646E-BMK0 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ K4B4G1646D-BHMA K4B4G1646E-BMK0
ブランド Samsung Electronics Samsung Electronics
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $2.90 $6.50
メモリタイプ DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4 Gb 4 Gb
メモリ構成 256M x 16 256M x 16
データレート 1866 Mbps 1600 Mbps
電源電圧 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) —
パッケージ 96-ball FBGA 96-FBGA
動作温度 -40°C to +95°C (TC) -40°C to +95°C
CASレイテンシ 13 (at 1866 Mbps) —
Burst Length 8 and 4 —
Number of Terminals 96 —
Lead-Free Yes —
ハロゲンフリー Yes —
RoHS Compliant Yes —
Die Version D-die —
Refresh Mode Auto and Self Refresh —
Speed Grade — 1600 Mbps
Voltage — 1.35 V
インターフェース — Parallel
Clock Frequency — 800 MHz
実装タイプ — Surface Mount
Auto Precharge — Yes
Asynchronous Reset — Yes
ZQ Calibration — Yes
Dynamic ODT — Yes
Data Mask — Yes

データシート&リソース

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