K4B4G1646D-BHMA vs K4B4G1646E-BMK0 Comparación
Comparación detallada lado a lado de K4B4G1646D-BHMA por Samsung Electronics y K4B4G1646E-BMK0 por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | K4B4G1646D-BHMA | K4B4G1646E-BMK0 |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $2,90 | $6,50 |
| Tipo de memoria | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gb | 4 Gb |
| Organización de memoria | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Velocidad de datos | 1866 Mbps | 1600 Mbps |
| Tensión de alimentación | 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) | — |
| Encapsulado | 96-ball FBGA | 96-FBGA |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C to +95°C (TC) | -40°C to +95°C |
| Latencia CAS | 13 (at 1866 Mbps) | — |
| Burst Length | 8 and 4 | — |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Sin halógenos | Yes | — |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Die Version | D-die | — |
| Refresh Mode | Auto and Self Refresh | — |
| Speed Grade | — | 1600 Mbps |
| Voltage | — | 1.35 V |
| Interfaz | — | Parallel |
| Clock Frequency | — | 800 MHz |
| Tipo de montaje | — | Surface Mount |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Dynamic ODT | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |