K4B4G1646D-BHMA vs MT41K256M16HA-125 比較

詳細な並列比較: K4B4G1646D-BHMA メーカー: Samsung Electronics および MT41K256M16HA-125 メーカー: Micron Technology。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Samsung Electronics
K4B4G1646D-BHMA K4B4G1646D-BHMA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Samsung

K4B4G1646D-BHMA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Samsung

K4B4G1646D-BHMA ✓ 生産中
Micron Technology
MT41K256M16HA-125 MT41K256M16HA-125 - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125 - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ K4B4G1646D-BHMA MT41K256M16HA-125
ブランド Samsung Electronics Micron Technology
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $2.90 $6.36
メモリタイプ DDR3L SDRAM SDRAM - DDR3L
Density 4 Gb —
メモリ構成 256M x 16 —
データレート 1866 Mbps —
電源電圧 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) 1.35 V
パッケージ 96-ball FBGA 96-FBGA (9x14 mm)
動作温度 -40°C to +95°C (TC) [DATA_NEEDED: operating temperature range]
CASレイテンシ 13 (at 1866 Mbps) 11
Burst Length 8 and 4 —
Number of Terminals 96 —
Lead-Free Yes Yes
ハロゲンフリー Yes —
RoHS Compliant Yes —
Die Version D-die —
Refresh Mode Auto and Self Refresh —
メモリサイズ — 4Gbit (256M x 16)
データバス幅 — 16 bit
Clock Frequency — 800 MHz
Access Time — 13.75 ns
ピン数 — 96
実装タイプ — Surface Mount
RoHS ステータス — Compliant
Logic Family — CMOS
Refresh Interval — 7.8 us at 85C

データシート&リソース

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