K4B4G1646D-BHMA vs MT41K256M16HA-125 Сравнение
Подробное сравнение бок о бок K4B4G1646D-BHMA от Samsung Electronics и MT41K256M16HA-125 от Micron Technology. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Сравнение характеристик
| Параметр | K4B4G1646D-BHMA | MT41K256M16HA-125 |
|---|---|---|
| Бренд | Samsung Electronics | Micron Technology |
| Категория | Memory ICs | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $2,90 | $6,36 |
| Тип памяти | DDR3L SDRAM | SDRAM - DDR3L |
| Density | 4 Gb | — |
| Организация памяти | 256M x 16 | — |
| Скорость передачи данных | 1866 Mbps | — |
| Напряжение питания | 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) | 1.35 V |
| Корпус | 96-ball FBGA | 96-FBGA (9x14 mm) |
| Рабочая температура | -40°C to +95°C (TC) | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Задержка CAS | 13 (at 1866 Mbps) | 11 |
| Burst Length | 8 and 4 | — |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Без галогенов | Yes | — |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Die Version | D-die | — |
| Refresh Mode | Auto and Self Refresh | — |
| Размер памяти | — | 4Gbit (256M x 16) |
| Разрядность шины данных | — | 16 bit |
| Clock Frequency | — | 800 MHz |
| Access Time | — | 13.75 ns |
| Количество выводов | — | 96 |
| Тип монтажа | — | Surface Mount |
| Статус RoHS | — | Compliant |
| Logic Family | — | CMOS |
| Refresh Interval | — | 7.8 us at 85C |