K4B4G1646D-BPH90 vs K4B4G1646D-BMH9 比較

詳細な並列比較: K4B4G1646D-BPH90 メーカー: Samsung Electronics および K4B4G1646D-BMH9 メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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K4B4G1646D-BPH90 K4B4G1646D-BPH90 - 4Gb DDR3L SDRAM x16 96FBGA | Samsung

K4B4G1646D-BPH90 - 4Gb DDR3L SDRAM x16 96FBGA | Samsung

K4B4G1646D-BPH90 ✓ 生産中
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K4B4G1646D-BMH9 K4B4G1646D-BMH9 - 4Gb DDR3L SDRAM x16 96FBGA | Samsung

K4B4G1646D-BMH9 - 4Gb DDR3L SDRAM x16 96FBGA | Samsung

K4B4G1646D-BMH9 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ K4B4G1646D-BPH90 K4B4G1646D-BMH9
ブランド Samsung Electronics Samsung Electronics
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $7.60 $6.50
メモリタイプ DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4Gb 4Gb
メモリ構成 32M x 16 256M x 16
Number of Banks 8 8
データレート 2133 Mb/s per pin 2133 Mb/s per pin
電源電圧 1.35V (DDR3L) —
パッケージ 96FBGA 96-ball FBGA (9x13mm)
動作温度 0°C to +85°C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
CASレイテンシ Programmable up to 14 Programmable
Burst Length 8, 4 (with burst chop) 8 and 4
On-Die Termination Yes —
ZQ Calibration Yes —
Auto Precharge Yes —
Asynchronous Reset Yes —
Data Mask Yes —
Lead-Free Yes Yes
ハロゲンフリー Yes Yes
RoHS Compliant Yes —
Supply Voltage (VDD) — 1.35V
Supply Voltage (VDDQ) — 1.35V
Ball Pitch — 0.8mm
RoHS ステータス — Compliant

データシート&リソース

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