K4B4G1646D-BYK0 vs K4B4G1646I-BYK0 比較

詳細な並列比較: K4B4G1646D-BYK0 メーカー: Samsung Electronics および K4B4G1646I-BYK0 メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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K4B4G1646D-BYK0 K4B4G1646D-BYK0 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Samsung

K4B4G1646D-BYK0 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Samsung

K4B4G1646D-BYK0 ✓ 生産中
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K4B4G1646I-BYK0 K4B4G1646I-BYK0 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Samsung

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仕様比較

パラメータ K4B4G1646D-BYK0 K4B4G1646I-BYK0
ブランド Samsung Electronics Samsung Electronics
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $2.90 $1.75
メモリタイプ DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4 Gbit —
メモリ構成 256M x 16 256M x 16
電源電圧 1.35 V (1.5 V compatible) 1.35 V
データレート 1600 Mbps (PC3-12800) 1866 Mbps
パッケージ 96-ball FBGA FBGA-96
動作温度 0°C to 85°C 0°C to 95°C (Tc)
CASレイテンシ Programmable (e.g., 11, 10, 9) [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Burst Length 8 (with burst chop 4) 8, 4
On-Die Termination Yes —
Lead-Free Yes Yes
ハロゲンフリー Yes —
RoHS Compliant Yes —
ピン数 96 —
Die Revision D-die —
メモリサイズ — 4 Gb
Clock Frequency — 933 MHz
インターフェース — Parallel
Number of Banks — 8
RoHS — Compliant
実装タイプ — Surface Mount

データシート&リソース

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