K4B4G1646D-BYK00 vs H5AN8G6NCJR-XXC 比較
詳細な並列比較: K4B4G1646D-BYK00 メーカー: Samsung Electronics および H5AN8G6NCJR-xxC メーカー: SK hynix。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BYK00 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 96FBGA | Samsung
K4B4G1646D-BYK00 ✓ 生産中仕様比較
| パラメータ | K4B4G1646D-BYK00 | H5AN8G6NCJR-xxC |
|---|---|---|
| ブランド | Samsung Electronics | SK hynix |
| カテゴリ | Memory ICs | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $7.50 | $6.50 |
| メモリタイプ | DDR3L SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 4 Gb | 8 Gb |
| メモリ構成 | 256M x 16 | 512M x 16 |
| データレート | 1600 Mbps | 2666 Mbps (VKC speed grade) |
| 電源電圧 | 1.35 V (also operates at 1.5 V) | — |
| パッケージ | 96-ball TFBGA | 96-ball FBGA |
| Number of Terminals | 96 | — |
| 動作温度 | 0°C to 85°C | — |
| CASレイテンシ | Programmable | — |
| Additional Features | Auto precharge, asynchronous reset, ZQ calibration, data mask, dynamic on-chip termination | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| ハロゲンフリー | Yes | — |
| Package Shape | RECTANGULAR | — |
| Temperature Grade | OTHER | — |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| VPP Supply | — | 2.5 V |
| Operating Temperature (TC) | — | 0°C to 95°C |
| Number of Banks | — | 8 |
| Burst Length | — | 8, 4 (with burst chop) |
| On-Die Termination (ODT) | — | Supported |
| Self-Refresh | — | Temperature-compensated (TCSR) |
| 実装タイプ | — | Surface Mount |