K4B4G1646D-BYK00 vs H5AN8G6NCJR-XXC 비교
다음의 상세 나란히 비교: K4B4G1646D-BYK00 제조: Samsung Electronics 및 H5AN8G6NCJR-xxC 제조: SK hynix. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BYK00 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 96FBGA | Samsung
K4B4G1646D-BYK00 ✓ 활성사양 비교
| 파라미터 | K4B4G1646D-BYK00 | H5AN8G6NCJR-xxC |
|---|---|---|
| 브랜드 | Samsung Electronics | SK hynix |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $7.50 | $6.50 |
| 메모리 유형 | DDR3L SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 4 Gb | 8 Gb |
| 메모리 구성 | 256M x 16 | 512M x 16 |
| 데이터 속도 | 1600 Mbps | 2666 Mbps (VKC speed grade) |
| 공급 전압 | 1.35 V (also operates at 1.5 V) | — |
| 패키지 | 96-ball TFBGA | 96-ball FBGA |
| Number of Terminals | 96 | — |
| 동작 온도 | 0°C to 85°C | — |
| CAS 레이턴시 | Programmable | — |
| Additional Features | Auto precharge, asynchronous reset, ZQ calibration, data mask, dynamic on-chip termination | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| 할로겐 프리 | Yes | — |
| Package Shape | RECTANGULAR | — |
| Temperature Grade | OTHER | — |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| VPP Supply | — | 2.5 V |
| Operating Temperature (TC) | — | 0°C to 95°C |
| Number of Banks | — | 8 |
| Burst Length | — | 8, 4 (with burst chop) |
| On-Die Termination (ODT) | — | Supported |
| Self-Refresh | — | Temperature-compensated (TCSR) |
| 실장 유형 | — | Surface Mount |