K4B4G1646E-BYMATCV vs MT41K256M16RE-125:D 比較
詳細な並列比較: K4B4G1646E-BYMATCV メーカー: Samsung Electronics および MT41K256M16RE-125:D メーカー: Micron Technology。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | K4B4G1646E-BYMATCV | MT41K256M16RE-125:D |
|---|---|---|
| ブランド | Samsung Electronics | Micron Technology |
| カテゴリ | Memory ICs | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $5.90 | $4.19 |
| メモリタイプ | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| メモリサイズ | 4 Gbit (256M x 16) | — |
| データレート | 1866 Mbps | 1600 MT/s |
| 電源電圧 | 1.35 V | 1.35 V |
| I/O Voltage (VDDQ) | 1.35 V | — |
| パッケージ | 96-ball FBGA | FBGA-96 (9x14 mm) |
| ピン数 | 96 | — |
| 動作温度範囲 | -40°C to +95°C | — |
| Number of Banks | 8 | — |
| Burst Length | 8 (with burst chop 4) | 8, 4 |
| CASレイテンシ | Programmable (e.g., 13, 12, 11) | 11 |
| On-Die Termination (ODT) | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Self-Refresh | Yes | Yes |
| RoHS ステータス | Compliant | — |
| Density | — | 4 Gb |
| メモリ構成 | — | 256M x 16 |
| 動作温度 | — | 0C to +95C (TC) |
| RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| On-Die Termination | — | Yes |
| Auto-Refresh | — | Yes |
| Ball Pitch | — | 0.8 mm |