K4B4G1646E-BYMATCV vs MT41K256M16RE-125:D Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4B4G1646E-BYMATCV par Samsung Electronics et MT41K256M16RE-125:D par Micron Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Samsung Electronics
K4B4G1646E-BYMATCV - 4Gb DDR3L SDRAM 96-FBGA | Samsung
K4B4G1646E-BYMATCV ✓ ActifMicron Technology
MT41K256M16RE-125:D - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Micron
MT41K256M16RE-125:D ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | K4B4G1646E-BYMATCV | MT41K256M16RE-125:D |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Micron Technology |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $5,90 | $4,19 |
| Type de mémoire | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Taille de mémoire | 4 Gbit (256M x 16) | — |
| Débit de données | 1866 Mbps | 1600 MT/s |
| Tension d'alimentation | 1.35 V | 1.35 V |
| I/O Voltage (VDDQ) | 1.35 V | — |
| Boîtier | 96-ball FBGA | FBGA-96 (9x14 mm) |
| Nombre de broches | 96 | — |
| Plage de température de fonctionnement | -40°C to +95°C | — |
| Number of Banks | 8 | — |
| Burst Length | 8 (with burst chop 4) | 8, 4 |
| Latence CAS | Programmable (e.g., 13, 12, 11) | 11 |
| On-Die Termination (ODT) | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Self-Refresh | Yes | Yes |
| Statut RoHS | Compliant | — |
| Density | — | 4 Gb |
| Organisation de la mémoire | — | 256M x 16 |
| Température de fonctionnement | — | 0C to +95C (TC) |
| RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| On-Die Termination | — | Yes |
| Auto-Refresh | — | Yes |
| Ball Pitch | — | 0.8 mm |