K4B4G1646Q vs K4B4G1646D-BCK00 比較
詳細な並列比較: K4B4G1646Q メーカー: Samsung Electronics および K4B4G1646D-BCK00 メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | K4B4G1646Q | K4B4G1646D-BCK00 |
|---|---|---|
| ブランド | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| カテゴリ | Memory ICs | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $6.50 | $5.90 |
| メモリタイプ | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4Gb | 4 Gb |
| メモリ構成 | 256M x 16 | 256M x 16 |
| データバス幅 | 16 bits | — |
| 電源電圧 | 1.35V | 1.35V (1.283V to 1.45V) |
| データレート | 1866 Mbps (PC3-14900) | 1600 Mbps/pin |
| パッケージ | 96-ball FBGA | 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch) |
| Die | Q-die | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| ハロゲンフリー | Yes | Yes |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Burst Length | 8 (BL8) | 8, 4 (with burst chop) |
| On-Die Termination | Yes (ODT) | — |
| CASレイテンシ | Programmable | 11 (at 1600 Mbps) |
| 動作温度 | [DATA_NEEDED: Operating temperature range] | 0°C to 95°C (Tcase) |
| Speed Grade | — | DDR3-1600 (800 MHz) |
| I/O Voltage | — | 1.35V |
| Number of Banks | — | 8 |
| RoHS | — | Compliant |