K4B4G1646Q vs K4B4G1646D-BCK00 비교
다음의 상세 나란히 비교: K4B4G1646Q 제조: Samsung Electronics 및 K4B4G1646D-BCK00 제조: Samsung Electronics. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | K4B4G1646Q | K4B4G1646D-BCK00 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $6.50 | $5.90 |
| 메모리 유형 | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4Gb | 4 Gb |
| 메모리 구성 | 256M x 16 | 256M x 16 |
| 데이터 버스 폭 | 16 bits | — |
| 공급 전압 | 1.35V | 1.35V (1.283V to 1.45V) |
| 데이터 속도 | 1866 Mbps (PC3-14900) | 1600 Mbps/pin |
| 패키지 | 96-ball FBGA | 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch) |
| Die | Q-die | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| 할로겐 프리 | Yes | Yes |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Burst Length | 8 (BL8) | 8, 4 (with burst chop) |
| On-Die Termination | Yes (ODT) | — |
| CAS 레이턴시 | Programmable | 11 (at 1600 Mbps) |
| 동작 온도 | [DATA_NEEDED: Operating temperature range] | 0°C to 95°C (Tcase) |
| Speed Grade | — | DDR3-1600 (800 MHz) |
| I/O Voltage | — | 1.35V |
| Number of Banks | — | 8 |
| RoHS | — | Compliant |