K4B4G1646Q vs K4B4G1646D-BCK00 Comparación
Comparación detallada lado a lado de K4B4G1646Q por Samsung Electronics y K4B4G1646D-BCK00 por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BCK00 - 4Gb DDR3L SDRAM x16 96FBGA | Samsung
K4B4G1646D-BCK00 ✓ ActivoComparación de especificaciones
| Parámetro | K4B4G1646Q | K4B4G1646D-BCK00 |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $6,50 | $5,90 |
| Tipo de memoria | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4Gb | 4 Gb |
| Organización de memoria | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Ancho del bus de datos | 16 bits | — |
| Tensión de alimentación | 1.35V | 1.35V (1.283V to 1.45V) |
| Velocidad de datos | 1866 Mbps (PC3-14900) | 1600 Mbps/pin |
| Encapsulado | 96-ball FBGA | 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch) |
| Die | Q-die | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Sin halógenos | Yes | Yes |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Burst Length | 8 (BL8) | 8, 4 (with burst chop) |
| On-Die Termination | Yes (ODT) | — |
| Latencia CAS | Programmable | 11 (at 1600 Mbps) |
| Temperatura de funcionamiento | [DATA_NEEDED: Operating temperature range] | 0°C to 95°C (Tcase) |
| Speed Grade | — | DDR3-1600 (800 MHz) |
| I/O Voltage | — | 1.35V |
| Number of Banks | — | 8 |
| RoHS | — | Compliant |